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 從北斗導(dǎo)航衛(wèi)星組網(wǎng)完成到嫦娥五號成功返回地球，從時(shí)速620公里的高速磁浮列車到可抵御零下40度的高寒動(dòng)車組，從量子計(jì)算原型機(jī)“九章”問世到億級類腦計(jì)算機(jī)的研制，從衛(wèi)星物聯(lián)網(wǎng)第一階段完工到華龍一號核電站正式裝載核燃料……2020年，中國制造業(yè)高新科技領(lǐng)域捷報(bào)頻傳，在技術(shù)方面攻克了一個(gè)又一個(gè)堡壘，多項(xiàng)重大科技取得突破。

    在太空領(lǐng)域，隨著嫦娥五號返回器成功著陸，標(biāo)志著我國首次地外天體采樣任務(wù)圓滿完成。嫦娥五號任務(wù)作為我國復(fù)雜度最高、技術(shù)跨度最大的航天系統(tǒng)工程，對于我國提升航天技術(shù)水平、完善探月工程體系、開展月球科學(xué)研究、組織后續(xù)月球及星際探測任務(wù)，具有承前啟后、里程碑式的重要意義；隨著我國成功發(fā)射北斗系統(tǒng)第五十五顆導(dǎo)航衛(wèi)星，至此北斗三號全球衛(wèi)星導(dǎo)航系統(tǒng)星座部署全面完成，中國從此有了自己完整的全球衛(wèi)星導(dǎo)航系統(tǒng)；隨著行云工程成功發(fā)射兩顆試驗(yàn)衛(wèi)星，我國在建的首個(gè)衛(wèi)星物聯(lián)網(wǎng)第一階段宣告順利完工，行云工程是用衛(wèi)星來搭建的通信系統(tǒng)，收尾的第三階段預(yù)計(jì)在2023年完成。

    在海洋領(lǐng)域，我國自主研制的055型萬噸級驅(qū)逐艦首艦?zāi)喜炄肓校?奮斗者"號載人潛水器在馬里亞納海溝成功坐底，深度10909米，刷新中國載人深潛紀(jì)錄；大型水路兩棲飛機(jī)"鯤龍"AG600海上首飛，是繼陸上首飛、水上首飛之后的第三次首飛，此后研制進(jìn)程進(jìn)入新階段。

    在高鐵領(lǐng)域，中國成功研制出一款時(shí)速620公里的高速磁浮列車，列車依靠高溫超導(dǎo)動(dòng)力，看起來就好像懸浮在磁化軌道上，這款列車預(yù)計(jì)會(huì)在3至10年內(nèi)投入運(yùn)營。為推動(dòng)高速磁懸浮列車系統(tǒng)的發(fā)展，中國目前至少有3條磁懸浮鐵路路線處于規(guī)劃階段；同時(shí)中國首次推出了一款專為抵御嚴(yán)寒而設(shè)計(jì)的子彈頭列車。CR400AF-G型“復(fù)興號”高寒動(dòng)車組可以在零下40攝氏度的嚴(yán)寒天氣下達(dá)到350公里的時(shí)速。

    在計(jì)算機(jī)領(lǐng)域，隨著中科院量子計(jì)算機(jī)“九章”的問世，求解數(shù)學(xué)算法5000萬個(gè)“高斯玻色取樣”僅需要200秒的時(shí)間，而目前世界上最快的超級計(jì)算機(jī)需要多達(dá)6億年的處理時(shí)間，這標(biāo)志著中國在量子計(jì)算機(jī)方面已經(jīng)取得重大突破；在類腦計(jì)算機(jī)方面，中國最大的億級類腦計(jì)算機(jī)面世，“腦容量”堪比小鼠，類腦計(jì)算機(jī)是一類通過硬件和軟件模擬大腦運(yùn)作的新型計(jì)算機(jī)，通過計(jì)算機(jī)來模擬腦區(qū)能夠很好地讓人類認(rèn)清大腦的工作原理，可以在未來的醫(yī)學(xué)實(shí)踐中讓人們對于大腦甚至其疾病的治療上有新的突破。

    在核工程領(lǐng)域，華龍一號核電站首堆并網(wǎng)發(fā)電成功。華龍一號的堆芯有177組組件構(gòu)成，為整個(gè)設(shè)施提供能量。單個(gè)組件的重量達(dá)到670公斤，通過177組組件的配合，核電站擁有百萬千瓦級的供電功率。177堆芯還是我國自主研發(fā)的獨(dú)一無二的技術(shù)，已成為中國核電的一張名片。

    在新材料領(lǐng)域，中科院攻克石墨烯關(guān)鍵材料技術(shù)，將其延遲足足降低了1000倍。石墨烯是目前超導(dǎo)材料的最佳選擇之一，中科院所攻克的硅-石墨烯-鍺晶體管屬于尖端的部件，可以使得這種晶體管的延遲極大降低，為日后的半導(dǎo)體電子行業(yè)晶體管研發(fā)打下了堅(jiān)實(shí)的基礎(chǔ)。

    在芯片領(lǐng)域，長江存儲(chǔ)科技公司成功研制出128層閃存芯片QLC NAND閃存，意味著我國在存儲(chǔ)芯片領(lǐng)域率先進(jìn)入世界第一梯隊(duì)；復(fù)旦大學(xué)在3nm芯片關(guān)鍵技術(shù)上取得了重大突破，驗(yàn)證了雙層溝道厚度分別為0.6/1.2納米的圍柵多橋溝道晶體管，為高性能低功耗電子器件的發(fā)展提供了新的技術(shù)途徑。

    當(dāng)前，國內(nèi)外環(huán)境發(fā)生深刻復(fù)雜的變化，我國經(jīng)濟(jì)發(fā)展對科技創(chuàng)新提出了更為迫切的要求，社會(huì)發(fā)展和民生改善比過去任何時(shí)候都更加需要科學(xué)技術(shù)解決方案，也更加需要增強(qiáng)創(chuàng)新這個(gè)第一動(dòng)力。2020年，我國制造業(yè)在諸多領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)了從無到有、從弱到強(qiáng)的轉(zhuǎn)變，各項(xiàng)重大科技取得重大突破，高新科技發(fā)展——道阻且長，行則將至。